Molekylstråleepitaksi, eller MBE, er en ny teknik til dyrkning af tynde krystaller af høj kvalitet på krystalsubstrater. Under ultrahøje vakuumforhold genereres damp ved hjælp af alle nødvendige komponenter, og ovnen udstyres med alle mulige nødvendige komponenter. Derefter kollimeres strålen med atomstrålen eller molekylstrålen og indsprøjtes direkte til den passende temperatur på enkeltkrystalsubstratet. Samtidig kontrolleres molekylstrålens scanning af substratet, hvilket kan få molekylerne eller atomerne i krystaljusteringslagene til at danne en tynd film på substratet.

For normal drift af MBE-udstyr kræves det, at flydende nitrogen med høj renhed, lavt tryk og ultrarent transporteres kontinuerligt og stabilt til udstyrets kølekammer. Generelt har en tank, der leverer flydende nitrogen, et udgangstryk mellem 0,3 MPa og 0,8 MPa. Flydende nitrogen ved -196 ℃ fordamper let til nitrogen under rørledningstransport. Når det flydende nitrogen med et gas-væske-forhold på ca. 1:700 er forgasset i rørledningen, vil det optage en stor mængde flydende nitrogenstrømningsplads og reducere den normale strømning i enden af ​​​​rørledningen med flydende nitrogen. Derudover er der sandsynligvis rester i opbevaringstanken for flydende nitrogen, der ikke er blevet renset. I rørledningen med flydende nitrogen vil tilstedeværelsen af ​​​​våd luft også føre til dannelse af isslagge. Hvis disse urenheder udledes i udstyret, vil det forårsage uforudsigelig skade på udstyret.

Derfor transporteres den flydende nitrogen i den udendørs opbevaringstank til MBE-udstyret i det støvfri værksted med høj effektivitet, stabilitet og renlighed. Med lavt tryk, ingen nitrogen, ingen urenheder, 24 timer i døgnet, er et sådant transportkontrolsystem et kvalificeret produkt.